米勒平臺(tái)的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān)，當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候，管子的CE電壓開(kāi)始下降，但是下降的速度十分緩慢，而C點(diǎn)的電位變化，帶動(dòng)了GE之間電壓不在上升，或者這樣理解，Ige的驅(qū)動(dòng)電流，基本都被用來(lái)給GC之間的節(jié)電容充電，至于為何一直充不滿，個(gè)人的理解如下。
第一種理解：C點(diǎn)的電位變化，起始為450V，也就是第一零點(diǎn)水位，當(dāng)C點(diǎn)水位電壓下降，下降到需要補(bǔ)充水的時(shí)候，或者可以認(rèn)為一邊下降，一邊增加抽取水（電流）的能力，也有說(shuō)是此電容在變大，也可以這樣理解。
第二種理解：此階段，CE之間的電阻在變小，為何變小可以查閱模擬電路，GE電壓增大的時(shí)候，PN結(jié)的夾斷寬度變寬，同流能力增強(qiáng)，也就是所謂的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以MOS、IGBT才能做到功率大，損耗小。
在米勒平臺(tái)時(shí)期，電壓迅速下降，電流快速上升，當(dāng)C點(diǎn)電位下降接近０V時(shí)，GC之間電容所抽取的能量電流減弱，Vge增大至驅(qū)動(dòng)電壓。在米勒尾端到驅(qū)動(dòng)電壓幅值點(diǎn)，Vgc實(shí)際也在減小，只是幅度非常小，同樣的Ic電流也十分微弱的增大。
驅(qū)動(dòng)電壓一段時(shí)間不再上升，此時(shí)Id已經(jīng)達(dá)到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅(qū)動(dòng)電壓的值，此時(shí)MOSFET進(jìn)入電阻區(qū)，此時(shí)Vds徹底降米勒效應(yīng)的影響：MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程，可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）的充放電過(guò)程；
當(dāng)Cgs達(dá)到門(mén)檻電壓之后， MOSFET就會(huì)進(jìn)入開(kāi)通狀態(tài)；當(dāng)MOSFET開(kāi)通后，Vds開(kāi)始下降，Id開(kāi)始上升，此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，Vgs會(huì)持續(xù)下來(lái)，開(kāi)通結(jié)束。
由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會(huì)使損耗的時(shí)間加長(zhǎng)。（Vgs上升，則導(dǎo)通電阻下降，從而Vds下降）
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