自恢復(fù)保險(xiǎn)絲+二極管，防反接防過流，缺點(diǎn)，自恢復(fù)保險(xiǎn)絲有個(gè)0.1V左右的壓降，大電流會發(fā)熱，而且大電流的自恢復(fù)保險(xiǎn)絲太貴mos防反接，成本低，壓降小，可過大電流...
經(jīng)常會有用戶將設(shè)備的電源正負(fù)接反的事情。
雖然現(xiàn)今這個(gè)社會已經(jīng)默認(rèn)了沒按規(guī)定去操作就要全責(zé)，但誰都不想因?yàn)檫@事兒傷了和氣，以后還要合作不是，更何況增加反接保護(hù)只要幾毛錢的Bom成本，有的地方該加還是要加啊。天災(zāi)難避免，人禍需先防。
電源輸入的反接保護(hù)電路，一般有以下兩種電路形式：
一、自恢復(fù)保險(xiǎn)絲 + 二極管。
優(yōu)點(diǎn)：防反接的同時(shí)，還防過流。
缺點(diǎn)：
1.自恢復(fù)保險(xiǎn)絲有個(gè)0.xV左右的壓降，大電流時(shí)會發(fā)熱。
2.高耐壓大電流的自恢復(fù)保險(xiǎn)絲，不僅體積巨大，還貴。
原理：- 電源極性正確接入時(shí)，二極管關(guān)斷，相當(dāng)于電路回路中串聯(lián)了一個(gè)自恢復(fù)保險(xiǎn)絲。
- 電源反接時(shí)，二極管導(dǎo)通，使自恢復(fù)保險(xiǎn)絲過流熔斷，電流回路開路。
待自恢復(fù)保險(xiǎn)絲恢復(fù)時(shí)，重復(fù)熔斷。
所以反接的時(shí)候，自恢復(fù)保險(xiǎn)絲會反復(fù)熔斷、恢復(fù)，自恢復(fù)保險(xiǎn)絲和二極管會些許發(fā)熱。
設(shè)計(jì)要點(diǎn)：D1的工作電流，起碼要大于 F1的熔斷電流（自恢復(fù)保險(xiǎn)絲的熔斷電流一般為工作電流的2倍，具體看手冊）。
完整電路像這樣：
二、MOS管（N/P）
優(yōu)點(diǎn)：占地面積小，成本低，壓降小，可過大電流。
原理：PMOS、NMOS做反接保護(hù)的原理都一樣，以PMOS的電路為例。
PMOS：- 電源極性正常接入時(shí)。Q2的寄生二極管導(dǎo)通，右側(cè)S極的電壓為 （24 -0.7）=23.3V。 G極電壓為 R9、R10的分壓 24 x （200/（100+200））= 16V。
于是 Q2的 Vgs = 16 - 23.3 = -7.3V。
大于 AO3401的門極導(dǎo)通閥限電壓 -1.3V，MOS管 DS極導(dǎo)通。
MOS導(dǎo)通后，MOS的寄生二極管被 DS短路。
此時(shí)的壓降 Vds僅等于 MOS-DS極內(nèi)阻 x 電流，Q2熱功耗很小。
- 電源反接時(shí)，Q2的寄生二極管關(guān)斷，DS極需要承受電壓。
設(shè)計(jì)要點(diǎn)：R9、R10的取值，要保證不會超出最大Vgs電壓范圍，并且留有一定安全余量。
MOS管的選型，要考慮Vds、Vgs、DS極導(dǎo)通電阻（Rds-on）、DS極電流。
MOS盡量使用 Rds-on小的型號。
P-MOS 反接保護(hù)電路：
圖中 R9、R10為分壓作用。使 P-MOS的 Vgs，不會超過±12V的最大 Vgs電壓范圍，并且留有一定安全余量。
AO3401 關(guān)鍵手冊參數(shù)截圖：
N-MOS 反接保護(hù)電路：
圖中 R9、R10為分壓作用。使 N-MOS的 Vgs，不會超過±12V的最大 Vgs電壓范圍，并且留有一定安全余量。
AO3400關(guān)鍵手冊參數(shù)截圖：
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