XXW3030場效應(yīng)管,N+PMOS管XXW3030參數(shù)資料,XXW3030引腳圖,XXW3030中文資料規(guī)格書PDF
XXW3030 TO252-4封裝參數(shù)：點(diǎn)擊查看
XXW3030場效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
極性：NPN+PNP
NPN極參數(shù)如下:
NPN極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：30V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：30A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：15W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=10A,VGS=10V： Typ 9.5mΩ Max 13mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 16mΩ Max 22.5mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
PNP極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：-30V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：-30A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：21.3W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-10A,VGS=-10V： Typ 20mΩ Max 25mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-5A,VGS=-4.5V：Typ 31mΩ Max 40mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
XXW3030場效應(yīng)管TO252-4L封裝尺寸：
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