講完P(guān)MOS，這次來(lái)看看NMOS的防反保護(hù)電路有什么不同？
簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，我們會(huì)使用NMOS來(lái)作防反電路，原因是成本較低。
PMOS一般會(huì)放置在電路的高邊，NMOS則是在低邊放置。兩者的功能類似。不過(guò)，NMOS的防反結(jié)構(gòu)，它的電源地和負(fù)載地是分開(kāi)的，而這種結(jié)構(gòu)在汽車(chē)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中很少使用。
這是因?yàn)榈瓦呴_(kāi)關(guān)存在一定的局限性，會(huì)有接地不良的隱患，功率上還是提倡使用高邊開(kāi)關(guān)。
傳統(tǒng)的NMOS防反保護(hù)
那我們加入驅(qū)動(dòng)IC呢？
采用NMOS和升降壓驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)防反保護(hù)電路時(shí)，NMOS則需要放置高邊，而驅(qū)動(dòng)IC也從高邊進(jìn)行取電。
優(yōu)化后的NMOS和驅(qū)動(dòng)IC電路
這時(shí)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)大于輸入電壓（VIN）的內(nèi)部電壓，給 NMOS 提供 (VGS)驅(qū)動(dòng)供電。
使用驅(qū)動(dòng)IC可以采取升降壓（Buck-Boost）方案。
利用升降壓拓?fù)溆袃蓚€(gè)優(yōu)勢(shì)：一個(gè)是提供更大的驅(qū)動(dòng)電流能力。
當(dāng)輸入電壓疊加到100kHz，峰值為2V時(shí)，輸入電壓和源極電壓一致，系統(tǒng)電壓與漏極電壓一致。
當(dāng)源極電壓低于漏極電壓時(shí)，輸入電壓（VIN）會(huì)低于系統(tǒng)電壓，MOS管驅(qū)動(dòng)關(guān)斷，體二極管提供了防反保護(hù)功能，防止了電容電流回流。
如果源極電壓超過(guò)漏極電壓，輸入電壓超過(guò)系統(tǒng)電壓，MOS管驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通，可以避免體二極管導(dǎo)通影響電路效率。
第二個(gè)優(yōu)勢(shì)是提升EMC性能。
通過(guò)采用固定的峰值電流控制，較小負(fù)載可以對(duì)應(yīng)較低的fSW，而負(fù)載越輕，開(kāi)關(guān)頻率越低。再者，MOS管是電壓型器件，電流消耗比較小，開(kāi)關(guān)頻率也比較低，幾乎不存在EMI問(wèn)題。
除了上述的兩個(gè)優(yōu)勢(shì)：提供更大的驅(qū)動(dòng)電流能力和提升EMC性能。此外，它還具備管壓降小，損耗和溫升低的優(yōu)勢(shì)。
因此，在一些簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中，采用NMOS進(jìn)行防反接，性價(jià)比會(huì)比較高。
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