傳統(tǒng)的防反保護(hù)電路，一般采用的都是PMOS管。
將PMOS的G極接電阻到地（GND），當(dāng)輸入端連接正向電壓時(shí)，電流流過PMOS的體二極管到負(fù)載端。
如果正向電壓超過 PMOS的門限閾值，主通道則導(dǎo)通。即PMOS的Vds壓降變低，電流都從主溝道導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)了低損耗和低溫升。
傳統(tǒng)PMOS防反保護(hù)
我們來看這個(gè)電路，MOS的兩端電壓，也就是體二極管壓降電壓，它大于mos管的VGS電壓，mos管導(dǎo)通，這時(shí)體二極管被短路，體二極管的壓降電壓不存在了。
R1是LED的分壓限流電阻，導(dǎo)通后LED被點(diǎn)亮，電源正常接入。
當(dāng)電源反接時(shí)，PMOS的GS兩端電壓為正值，MOS管無法導(dǎo)通。
其中Rg是降低NMOS導(dǎo)通時(shí)的脈沖電流和分壓。
當(dāng)GS兩端電壓過高，穩(wěn)壓二極管D就會(huì)進(jìn)入反向擊穿工作模式，在一定反向電流范圍內(nèi)，反向電壓不會(huì)隨反向電流變化。當(dāng)輸入電壓過高時(shí)，穩(wěn)壓二極管D可以避免GS兩端電壓超過額定值損壞MOS管的現(xiàn)象。
這里要注意mos管的體二極管朝向，當(dāng)體二極管朝向Vin，一旦反接，電流會(huì)從GND——體二極管——Vin，這會(huì)直接短路，便無法起到防反接的作用。
不過，用PMOS來作防反接電路有三個(gè)缺點(diǎn)。
一個(gè)是系統(tǒng)待機(jī)電流大：
VGS驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路會(huì)存在暗電流損耗，兩者是由齊納二極管和的限流電阻R組成的，而限流電阻會(huì)影響整個(gè)待機(jī)功耗。 如果這時(shí)提高R的取值，穩(wěn)壓管就沒辦法可靠導(dǎo)通，VGS也會(huì)存在過壓的風(fēng)險(xiǎn)，并且會(huì)影響PMOS的開關(guān)速度。
另一個(gè)是存在反灌電流：
在輸入電源跌落測試時(shí)，PMOS在輸入電壓跌落時(shí)依舊保持導(dǎo)通，此時(shí)電容電壓會(huì)讓電源極性反轉(zhuǎn)，導(dǎo)致系統(tǒng)電源故障并中斷。
最后就是成本問題：
我們都知道PMOS的成本較高，因此PMOS作防反保護(hù)一般適合用于電流超過3A以上的大電流的場景。
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