通過(guò)對(duì)以上電容特性的分析可知，高頻的小電容對(duì)瞬間電流的反應(yīng)最快。例如，一塊IC附近有兩個(gè)電容，一個(gè)是2.2uF,另一個(gè)是0.01uF。當(dāng)IC同步開(kāi)關(guān)輸出時(shí)，瞬間提供電流的肯定是0.01uF的小電容，而2.2uF的電容則會(huì)過(guò)一段時(shí)間才響應(yīng)，即便小電容離IC遠(yuǎn)一些，只要它的寄生電感（包括引線和悍盤電感）比大電容小，那么它依然是瞬間電流的主要提供者。所以，高速設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵就是高頻小電容的處理，要盡可能擺放得離芯片電源引腳近一些，以達(dá)到最佳的旁路效果。

高速PCB布線中對(duì)電容處理的要求，簡(jiǎn)單地說(shuō)就是要降低電感。實(shí)際在布局中的具體措施主要有以下6點(diǎn)。

1，減小電容引線/引腳的長(zhǎng)度。

2，使用寬的連線。

3，電容盡量靠近器件，并直擬口電源引腳相連。

4，降低電容的高度（使用表貼型電容）。

5，電容之間不要共用過(guò)孔，可以考虛打多個(gè)過(guò)孔接電源/地。

6，電容的過(guò)孔盡量靠近焊盤（能打在悍盤上最佳），如圖1-11-21所示。

圖1-11-21電容布局中引線設(shè)計(jì)趨勢(shì)
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