場效應(yīng)管飽和區(qū)
場效應(yīng)管飽和區(qū)是指場效應(yīng)管輸出特性曲線族中漏源電壓U(DS)較大，且漏極電流I(D)基本不隨U(DS)增加而變化的部分。這段特性曲線近似水平，故又叫“恒流區(qū)”。它表示場效應(yīng)管預夾斷后I(D)和U(DS)之間的關(guān)系。
mos管飽和區(qū)條件
MOS管飽和區(qū)工作條件有以下幾點，
閾值電壓：MOS管進入飽和區(qū)的條件是柵極電壓高于一定的閾值電壓，這個閾值電壓是MOS管的一個重要參數(shù)，決定了MOS管的工作狀態(tài)。
漏極電壓：在飽和區(qū)工作時，漏極電壓較低，基本保持在一個較小的范圍內(nèi)。這是因為在飽和區(qū)，MOS管的導通電阻較低，使得漏極電壓較小。
飽和電壓：MOS管的飽和區(qū)與導通區(qū)之間存在一個臨界電壓，稱為飽和電壓。
恒流區(qū)：當Vgs一定，當Vds大于Vgs-Vth時（Vth為開通的閾值電壓），漏極電流Id恒定不變，不隨Vds增大而增大，俗稱為飽和。
場效應(yīng)管飽和區(qū)的電壓條件：在飽和區(qū)，場效應(yīng)管的柵極-源極電壓（Vgs）要小于或等于臨界電壓（Vth），且柵極-漏極電壓（Vds）要大于或等于零。這樣的電壓條件可以使得場效應(yīng)管的導通狀態(tài)穩(wěn)定，從而實現(xiàn)飽和區(qū)的工作。
場效應(yīng)管飽和區(qū)的電流條件：在飽和區(qū)，場效應(yīng)管的漏極電流（Ids）要大于或等于飽和電流（Idsat），同時柵極-源極電流（Igs）要小于或等于零。這樣的電流條件可以保證場效應(yīng)管在飽和區(qū)工作時的穩(wěn)定性和可靠性。
mos管飽和條件及狀態(tài)
MOSFET飽和條件
當確定D極與S極現(xiàn)在處與一個導通狀態(tài)后，
1.Vgs＞=Vt;
2.Vds＞=Vgs-Vt;
電路在滿足這三個條件的時候就達到了MOSFET的飽和狀態(tài)，如果當前電路只滿足了第一個條件而沒有滿足第二個條件這是MOSFET就處于一個未飽和的狀態(tài)。
MOSFET未飽和狀態(tài)
MOSFET飽和狀態(tài)
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