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  6. 驅動IC控制的MOS管開關電路實例解析
    • 發布時間:2023-04-27 18:54:17
    • 來源:
    • 閱讀次數:281
    驅動IC控制的MOS管開關電路實例解析
    在設計MOS管驅動電路時,要滿足的首要條件就是Vgs電壓大于Vth開啟電壓,一般來說Source極是接地的,所以我們一般關注的是Gate電壓,但是在一些特殊的應用場合中,比如H橋驅動電機時,這個時候MOS管的S極可能并不直接接地,那么我們應該如何控制MOS管的開關呢?這時候就需要用到專門的MOS驅動IC了。
    驅動IC MOS管
    實例分析
    專門的驅動IC為了實現快速開關MOS,一般內部會集成自舉電路,從而可以提供高于電源電壓的驅動電壓來快速開關MOS,以DGD0506為例,雖然該IC的供電電源電壓是15V,但是它卻能提供高達50V的驅動電壓輸出。
    VB和VS引腳之間的電容就是自舉電容,是完成升壓的核心器件。從下面的電路我們可以看出來,驅動IC的Vs引腳直接接到了MOS的Source極,這樣就解決了沒有GND作為Source極電壓參考的問題。
    驅動IC MOS管
    另外,如果我們用分立器件搭建半橋驅動電路來驅動電機時,一旦軟件出現BUG,兩個MOS同時導通,相當于VCC和GND直連了,那么兩個MOS上會出現很大的短路電流,可能會燒毀MOS,集成MOS內部有死區時間控制,能夠從硬件上避免兩個MOS同時導通的情況出現;
    簡單來說就是我們在開啟一個MOS時,會硬件延時,而這段硬件延時時間能充分保證另一個MOS已經關閉了,我們可以通過調整DT引腳上連接的電阻來調整死區保護時間。
    驅動IC MOS管
    總結來說,使用IC驅動MOS減少了外圍分立器件,并且能大大擴展驅動電壓以及應用場景,當然,這也會導致成本的上升,所以還是要基于需求來搭建驅動電路,如果你得MOS管開關電路沒有開關時間的要求,并且也不是驅動H橋這種電路,只是用于簡單的負載開關,這個時候考慮一下電流,MOS管的溫升,如果都比較合理的話,那用MCU直驅也是可以的。
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