一.MOSFET與IGBT的區(qū)別
從結(jié)構上來講，以N型溝道為例，IGBT與MOSFET的區(qū)別在于MOSFET 的襯底為N型，IGBT的襯底為P型；從原理上說IGBT相當于一格MOSFET與BIpolar的組合，通過背面P型層空穴降低器件的導通電阻，但同時也會引入一些拖尾電流問題，從產(chǎn)品上來說，IGBT一般用在高壓功率產(chǎn)品上，從600V到幾千伏都有，MOSFET應用電路則從十幾伏到一千左右，結(jié)構如下圖所示：
工作原理的區(qū)別：
對于MOSFET 來說，僅由多子承擔的電荷運輸沒有任何存儲效應，所以很容易實現(xiàn)極端的開關時間。PowerMosfet的開關的高頻特性十分優(yōu)秀，所以可以用在高頻場和，在低電壓工作狀態(tài)下，開關管動作損耗遠低于其他組件，但是缺點是在高壓狀態(tài)下，壓降高，并且隨著電壓等級的增大，導通電阻也變大。因而其傳導損耗比較大，尤其是在高電壓應用場合。IGBT是其耐壓比較高，壓降低，功率可以達到5000w,IGBT開關頻率在40-50k之前，開關損耗也比較高，并且會出現(xiàn)擎柱效應。
驅(qū)動電路的對比：
驅(qū)動電路兩種其實差的不是很多，只是IGBT輸入電容要比MOS大，因此需要更大電壓驅(qū)動功率。總之，MOS一般在高頻且低壓的場合應用（即功率<1000W及開關頻率>100kHZ）,而IGBT在低頻率高功率的場合表現(xiàn)較好。
二.BJT與MOSFET的區(qū)別
1.三極管是電流型器件，MOSFET是電壓型器件。
2.三極管功耗大（極大的限制了三極管在集成電路中的應用），場效應管功耗小（集成電路中廣泛應用）。
3.場效應管柵極基本不取電流，而三極管的基極總要吸取一定的電流。因此場效應管的輸入電阻要比三極管的輸入電 阻要高。
4.三極管導通電阻大，場效應管導通電阻小，只有幾百毫歐，在現(xiàn)在的用電器件上，一般用場效應管用作開關，效率 還算比較高的。
5.場效應管的噪聲系數(shù)都很小的，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比高的電路中要選擇場效應管。
6.三極管是雙極性的（內(nèi)部導電方式：空穴和載流子），場效應管是單極性的（空穴or載流子）。
應用場合：三極管比較便宜，用起來比較方便，常用在數(shù)字電路中。MOS常用于高速高頻電路、大電流場合，以及對基極和漏極控制電流比較敏感的場合，一般來說，成本場合，普通應用先采用三極管，不行的話再 使用MOS管。
總之在使用場合中，BJT的成本是最低的，MOSFET適用于高速高頻的場合，IGBT適用的場合為高壓大電流場合。
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