快恢復(fù)二極管FRD是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同，它屬于PIN結(jié)型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。
肖特基二極管SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結(jié)原理制作的，肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
二極管的Vf值為正向?qū)妷骸Ｔ趨?shù)表中的Vf值是當Io在額定數(shù)值時的最大壓降，那當Io并沒有那么大時，電流小， Vf相應(yīng)也就會小。二極管測試參數(shù)中IR是指漏電流、IF是二極管的型號也就是安培數(shù)、VR是二極管的最大流通電流。簡單來說，就是二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流。
快恢復(fù)二極管相對于肖特基二極管而言VF是比較高的，現(xiàn)在我們就來探討下為什么快恢復(fù)二極管的VF比肖特基二極管要高。
快恢復(fù)二極管耐壓值都是在200V以上，20A同一TO-263封裝的快恢復(fù)二極管，200V時的VF是1V以下，300V時的VF是1.1，400V的VF是在1.3，由此可以看出，耐壓值越大，VF值越大，這個結(jié)論是成立的。如果還有質(zhì)疑的朋友，我們還可以探討一下快恢復(fù)二極管和肖特基二極管的比較。
肖特基二極管的耐壓值都是在200V以下，200V時的VF是0.9，100-150V時的VF是在0.8-0.88之間，100V以下在0.6左右，和快恢復(fù)二極管200V以上的對比，更能凸顯耐壓值越大，VF越高的說法，因此也說明了為什么快恢復(fù)二極管的VF比較高了。
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